N-CH BSC0901NSATMA1 MOSFET ICの破片、30V 28A 100A TDSON BSC0901NS
N-CH MOSFET ICの破片
,BSC0901NSATMA1 MOSFET ICの破片
,BSC0901NS
Antminer S9 BSC0901NS OptiMOSのあなたの力管理を最大限に活用しなさい
超低いゲート、有効な性能のための低い抵抗MOSFET
Antminer S9 BSC0901NS OptiMOSのあなたの力のマネージメント ゲームを-超低いゲートおよび出力充満、低いオン州の抵抗および有効電力管理を保障する特別なEMIの行動MOSFET改善しなさい。あなたのAntminerの挽肉料理板、機内充電器、コンピュータmainboards、DC-DCの転換、VRD/VRM、運動制御、またはLEDを最大限に活用するために見ているかどうか半橋構成（力の段階5x6）のOptiMOS力のアダプターは覆われる持っている。
プラスは、これらのMOSFETsスペース最適化を要求するあらゆる適用のためにそれを完全にさせる小型パッケージで利用できる。あなたの力管理必要性のための最も有効な性能を得、Antminer S9 BSC0901NS OptiMOSのより長い電池の寿命を経験しなさい。
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部門 |
分離した半導体製品 |
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
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パッケージ |
テープ及び巻き枠（TR） |
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部分の状態 |
活動的 |
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FETのタイプ |
N-Channel |
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技術 |
MOSFET （金属酸化物） |
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流出させなさいに源の電圧（Vdss） |
30ボルト |
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C |
28A （Ta）、100A （Tc） |
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） |
4.5V、10V |
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（最高） @ ID、VgsのRds |
1.9mOhm @ 30A、10V |
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Vgs （（最高） Th） @ ID |
2.2V @ 250µA |
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
44 NC @ 10ボルト |
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Vgs （最高） |
±20V |
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
2800 pF @ 15ボルト |
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FETの特徴 |
- |
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電力損失（最高） |
2.5W （Ta）、69W （Tc） |
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実用温度 |
-55°C | 150°C （TJ） |
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タイプの取付け |
表面の台紙 |
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パッケージ/場合 |
8-PowerTDFN |
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基礎プロダクト数 |
BSC0901 |