穴TO-247を通したFCH47N60F 47N60F NチャネルMOSFET 600 V 47A 417W
FCH47N60F
,FCH47N60F NチャネルMOSFET
,穴NチャネルMOSFETを通して
分離した半導体の塗布のための高性能MOSFET
TO-247-3パッケージのonsemiからのSuperFET FCH47N6の導入
あなたの分離した半導体の必要性のための強力な、信頼できるMOSFETを捜すことか。onsemiからのSuperFET FCH47N6よりそれ以上に見てはいけない。最先端のMOSFET （金属酸化物）の技術と設計されていて、このN-Channelのトランジスターは600ボルトの源の電圧および25°C.で47Aの連続的な下水管の流れに印象的な下水管を渡す。
10Vの270だけNCのちょうど70mOhmそして最高のゲート充満の最高Rdsを使うと、FCH47N6は例外的な効率を、が広い実用温度範囲提供する（- 150°C）への55°Cは極限状態の耐久性を保障する。この強力なMOSFETはによ穴の土台と互換性があり、TO-247-3パッケージ入って来。分離した半導体の塗布のためのSuperFET FCH47N6の印象的な力そして信頼性で逃してはいけない。
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部門 |
分離した半導体製品 |
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
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パッケージ |
管 |
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部分の状態 |
時代遅れ |
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FETのタイプ |
N-Channel |
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技術 |
MOSFET （金属酸化物） |
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流出させなさいに源の電圧（Vdss） |
600ボルト |
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C |
47A （Tc） |
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） |
10V |
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（最高） @ ID、VgsのRds |
73mOhm @ 23.5A、10V |
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Vgs （（最高） Th） @ ID |
5V @ 250µA |
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs |
270 NC @ 10ボルト |
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Vgs （最高） |
±30V |
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds |
8000 pF @ 25ボルト |
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FETの特徴 |
- |
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電力損失（最高） |
417W （Tc） |
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実用温度 |
-55°C | 150°C （TJ） |
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タイプの取付け |
穴を通して |
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パッケージ/場合 |
TO-247-3 |
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基礎プロダクト数 |
FCH47 |