BUZ10トランジスターNチャネルMOSFET 50V 23A 3 Pin TO-220-3のパッケージ
カテゴリー:
電子ICの破片
内部在庫:
ストック
価格:
Negotiable
仕様
タイプ:
トランジスターNチャネルMOSFET
パッケージのタイプ:
TO-220
ブランド:
MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
実用温度:
175°C （TJ）
タイプの取付け:
穴を通して
パッケージ/場合:
TO-220-3
FETのタイプ:
N-Channel
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:
50V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C:
23A （Tc）
（最高） @ ID、VgsのRds:
70mOhm @ 14A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID:
4V @ 1mA
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds:
900pF @ 25V
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:
10V
Vgs （最高）:
±20V
最高の電力損失:
75000mW
最高のゲート源電圧:
±20V
最高の下水管の源の電圧:
50V
最高の連続的な下水管の流れ:
23A
チャネル モード:
強化
部門:
力MOSFET
ハイライト:
BUZ10トランジスターNチャネルMOSFET
,50VトランジスターNチャネルMOSFET
,TO-220-3 NチャネルMOSFET IC
導入
BUZ10トランジスターNチャネルMOSFET
TRANS MOSFET N-CH 50V 23A 3 Pin （3+Tab） TO-220
| 部門 | 力MOSFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | N |
| 構成 | 単一 |
| 材料 | Si |
| 最高の連続的な下水管の流れ | 23A |
| 最高の下水管の源の電圧 | 50V |
| 最高のゲート源電圧 | ±20V |
| 実用温度（°C） | -65から+175 |
| 最高の電力損失 | 75000mW |
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ:
1