実用的なFP150R07N3E4_B11 IGBTのトランジスター モジュールの高い発電
カテゴリー:
IGBTのトランジスター モジュール
内部在庫:
ストック
価格:
Negotiable
仕様
部品番号:
FP150R07N3E4_B11
ブランド:
INFINEON
タイプ:
IGBTモジュール
特徴:
強力
条件:
新しい
元:
肯定
ハイライト:
FP150R07N3E4_B11 IGBTのトランジスター モジュール
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導入
強力なIGBTモジュール
FP150R07N3E4_B11のあなたの電子工学のプロジェクトを後押ししなさい
FP150R07N3E4_B11はあなたの電子工学のプロジェクトを後押しするために完全の強力なIGBTモジュールである。150Aおよび650Vの強力な出力を使うと、このIGBTモジュールは強力な適用を容易に扱うことができる。FP150R07N3E4_B11の賛否両論の一部はここにある:
賛成論:
- 高い発電の出力はそれを要求の適用にとって理想的にさせる
- 高い転換の頻度は速く、有効な操作を可能にする
- 作り付けの温度検出器の助け過熱することを防ぐため
- 強い設計は粗い環境の信頼できる操作を保障する
反対論:
- より高い費用はより小さいIGBTモジュールと比較した
- 扱いにくいサイズはより高い費用にもかかわらず密集したプロジェクトにとって理想的ではないかもしれないし、扱いにくいサイズは、FP150R07N3E4_B11強力な適用のための打ち負かされない性能を提供する。その強い設計および作り付けの温度検出器はそれに電子工学のプロジェクトのための信頼できる選択をする。
DIYの熱狂者または専門の電子工学の技術者であるかどうか、FP150R07N3E4_B11はあなたの次のプロジェクトを後押しするための優秀な選択である。
指定:
- 製品カテゴリ:IGBTモジュール
- RoHS:細部
- プロダクト:IGBTのケイ素 モジュール
- 構成:3-Phaseインバーター
- 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:650ボルト
- Collector-Emitterの飽和電圧:1.55 V
- 25 Cの連続的なコレクター流れ:150 A
- ゲート エミッターの漏出流れ:400 nA
- Pd -電力損失:430 W
- 最低の実用温度:- 40 C
- 最高使用可能温度:+ 150 C
- 包装:皿
- ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
- 製品タイプ:IGBTモジュール
- シリーズ:堀/Fieldstop IGBT4 - E4
- 下位範疇:IGBTs
- 商号:PressFIT EconoPIM
- 単位重量:300 g
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ:
1