耐久の絶縁されたゲートの両極トランジスター多目的IRG4PH50UD
カテゴリー:
IGBTのトランジスター モジュール
内部在庫:
ストック
価格:
negotiable
仕様
部品番号:
IRG4PH50UD
ブランド:
国際的な整流器
タイプ:
IGBT
部門:
ダイオード
条件:
新しい
元:
肯定
ハイライト:
耐久の絶縁されたゲートの両極トランジスター
,多目的絶縁されたゲートの両極トランジスター
,IRG4PH50UD
導入
絶縁されるIRG4PH50UDは超高速の柔らかい回復ダイオードが付いている両極トランジスターをゲートで制御する
あなたの電子デバイスのためのIRG4PH50UDの購入の賛否両論
あなたの電子工学を改善するために見ればIRG4PH50UDは大きい選択である場合もある。力MOSFETのトランジスターとして、それは応用範囲の高性能そして効率のために設計した。買う前に考慮するべきある賛否両論はここにある:
賛成論:
- 600Vの最高のVdsおよび49Aの連続的な現在の評価の高い発電の評価、
- 改善された効率のための低いオン州の抵抗そして速い切り替え速度
- anti-parallelダイオードおよびゲートに下水管の保護のような作り付けの特徴との理性的な設計
- 、モーター ドライブからの電源に電子工学の範囲の使用のために適した
反対論:
- きちんと使用されない性能および寿命を減らすことができる過熱することに傾向がある、
- 5月は追加的支援の回路部品か最適のレベルで作動するために冷却を要求する
- 市場の他のトランジスターと比較される比較的高い
全体的にみて、IRG4PH50UDはあなたの電子工学のプロジェクトの印象的な結果を提供できる良質力MOSFETのトランジスターである。ちょうど最もよい結果のために製造業者の指針に従ってそれを使用するために確かめるため。
技術的詳細:
- 様式の取付け:穴を通して
- 最高のゲートのエミッターの電圧:20ボルト
- 最低の実用温度:- 55 C
- 最高使用可能温度:+150 C
- パッケージ:TO-247-3
- 長さ:15.9 MM
- 包装:400
- 高さ:20.3 MM
- 幅:5.3 MM
- 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:3.7 V
- 最高連続的なコレクター流れIC:45 A
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ:
1