電子工学のためのNチャネル40WのトランジスターIC破片FQPF6N60C MOSFET
カテゴリー:
トランジスターIC破片
内部在庫:
ストック
価格:
negotiable
仕様
部品番号:
FQPF6N60C
タイプ:
MOSFET
パッケージ:
TO-220-3
トランジスター極性:
N-Channel
Pd -電力損失:
40W
条件:
新しい
ハイライト:
NチャネルのトランジスターIC破片
,40WトランジスターIC破片
,FQPF6N60C
導入
高性能電子工学のための強力なFQPF6N60C MOSFETのトランジスター
優秀な電気適用のための強く、信頼できる部品
あなたの電子デバイスのための強く、高性能MOSFETのトランジスターを捜すことか。FQPF6N60Cよりそれ以上に見てはいけない。このトランジスターはそれに広い応用範囲のための上の選択をする例外的な電気性能を提供するように設計されている。6Aの最高の下水管の流れおよび600Vの最高の電圧を使うと、FQPF6N60Cは最もデマンドが高い適用を容易に扱うことができる。その低いオン州の抵抗および優秀な転換の性能あなたの装置が効率的かつ確実に作動することを確認するため。
高温および極限状態に抗するために造られてこのトランジスターは強い材料および先端技術と組み立てられる。その低い熱抵抗はそれに高性能電子工学のための信頼できる選択をする有効な熱放散および長続きがする性能を保障する。新しい電子設計に取り組むか、または既存の装置を修理しているかどうか、FQPF6N60Cは新しい高さにあなたの電気性能を上げる強力な、信頼できる部品である。あなたのを今日発注し、あなたの電子工学のプロジェクトの優秀な性能そして信頼性を経験しなさい。
技術的な特徴:
- 技術:Si
- 様式の取付け:穴を通して
- パッケージ/場合:TO-220-3
- トランジスター極性:N-Channel
- チャネルの数:1つのチャネル
- Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600ボルト
- ID -連続的な下水管の流れ:5.5 A
- Rdsのオン下水管源の抵抗:2オーム
- Vgs -ゲート源の電圧:- 30ボルト、+ 30ボルト
- 最低の実用温度:- 55 C
- 最高使用可能温度:+ 150 C
- Pd -電力損失:40 W
- チャネル モード:強化
- シリーズ:FQPF6N60C
- 包装:管
- ブランド:onsemi/フェアチャイルド
- 構成:単一
- 落下時間:45 ns
- 前方相互コンダクタンス-分:4.8 S
- 高さ:16.3 mm
- 長さ:10.67 mm
- 製品タイプ:MOSFET
- 上昇時間:45 ns
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ:
1
